GD32E230C8T6兆易创新mcu芯片代理商1.2V超低功耗SPI NOR Flash，行业先进的半导体器件供应商兆易创新GigaDevice(股票代码603986)宣布推出突破性1.2V超低功耗SPINORFlash产品——GD32E230C8T6兆易创新mcu芯片代理商GD25UF系列。该系列位于数据传输速度.供电电压.读写功耗等关键性能指标均达到国际先进水平，智能可穿戴设备.健康监测.在物联网设备或其他单电池供电的应用中，可显著降低运行功耗，有效延长设备的续航时间。
随着物联网技术的发展，新一代智能可穿戴设备需要更丰富的功能来满足消费者的需求。这种空间敏感产品对系统功耗提出了更严格的要求，希望进一步提高产品的耐久性。从系统设计的角度来看，一些先进工艺设备的工作电压已经低至1.2V，如果所需的Flash可以支持1.2V对于主控来说，电压操作将能够有效简化电源设计，优化系统成本。
针对这一需求，兆易创新推出GD32E230C8T6兆易创新mcu芯片代理商GD25UF产品系列，该系列工作电压可扩展至1.14~1.26V，具有单通道.双通道.四通道.DTR四通道的SPI模式支持不同的容量选择，可以满足智能设备所需的代码存储要求。在读写性能方面，GD25UF最高时钟频率STR120MHz，DTR60MHz，数据有效保存期可达20年，擦写寿命为10万次。在安全性方面，该产品具有1288次。bitUniqueID实现加密效果，为应用带来高安全保障。
同时，为进一步满足低功耗需求，GD32E230C8T6兆易创新mcu芯片代理商GD25UF特别提供了产品系列NormalMode和LowPowerMode两种工作模式。在NormalMode四通道120通道下的器件读取电流MHz频率低至6mA；在LowPowerMode在下面，四通道1中的器件读取电流MHz频率下低至0.5mA，擦写电流低至7mA，睡眠功耗低至0.1uA。相比于1.8V供电的SPINORFlash，1.2VGD25UF系列在NormalMode在相同电流条件下，功耗降低33%，而在相同电流条件下，LowPowerMode在相同频率下，功耗降低70%，有效延长了设备的续航时间。另外GD25UF系列产品供电电压支持1.14~1.26V宽电压范围，可显著延长单电池供电应用的使用寿命。并支持这一系列产品SOP8.WSON8.USON8.WLCSP封装，全温工作范围覆盖-40℃~85℃，-40℃~105℃，-40℃~125℃。
兆易创新存储器事业部执行总监陈辉先生说：“GD25UF该系列产品进一步丰富了兆易的创新FlashMemory产品线。它所拥有的1.2V低电压和超低功耗模式可以帮助小容量电池供电设备提高电池寿命，即使在不可避免的电池衰减过程中，也能保持良好稳定的运行状态，提高应用的可靠性。如今，电池寿命已成为消费者购买产品的重要指标，GD32E230C8T6兆易创新mcu芯片代理商GD25UF该系列产品的推出将是下一代可穿戴设备的理想选择。作为国内外少有1款产品，.2VSPINORFlash对于产品线企业来说，兆易创新处于需求前沿，缓解了下一代应用程序设计开发的压力，在一定程度上降低了客户的研发成本，使他们能够在日益激烈的市场竞争中保持先进地位。”
目前，GD32E230C8T6兆易创新mcu芯片代理商GD25UF系列可提供64Mb容量样品，更多容量产品将陆续推出，客户可联系销售代表或授权代理了解相关信息。