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GD32E5系列MCU基于Cortex®-33持续布局光模块市场,开启高性能计算的新里程

GD32E5系列MCU基于Cortex®-33持续布局光模块市场,开启高性能计算的新里程

GD32E5系列MCU基于Cortex®-33持续布局光模块市场,开启高性能计算的新里程

GD32E5系列MCU基于Cortex®-33持续布局光模块市场,开启高性能计算的新里程

GD32E5系列MCU基于Cortex®-33持续布局光模块市场,开启高性能计算的新里程

GD32E5系列MCU基于Cortex®-33持续布局光模块市场,开启高性能计算的新里程,GigaDevice全新GD32E501系列MCU将是Arm®Cortex®M33新架构内核引入中高速光通信领域,全面助力对光模块产业链的国产化需求。


业内先进的半导体供应商兆易创新GigaDevice(股票代码603986)正式推出基于Arm®Cortex®-M33内核的新成员,GD32E501系列增强微控制器。为不断提高光电传输领域国产化水平开辟了可持续的道路,加强与现有GD32E232系列产品的无缝升级和应用组合,使之与光网的各种传输速率和应用场景相匹配;涵盖光纤路由器、交换机、5G传输、数据中心、云服务器等各种类型光模块的数据处理与监控需求。


GD32E501系列MCU为4x4mm小型尺寸BGA64和QFN32两种封装管脚,并提供6种型号选择。样品和开发板卡现已启动,正式交付产品。


GD32E501系列Cortex®-M33内核MCU
High-Kernel及外部资源
GD32E501系列Cortex®-M33MCU的大时钟频率是100MHz,内建有硬件乘/除法器,配备全DSP指令集和单精度浮点运算单元(FPU),其大主频可达到126DMIPS。配置有128KB至512KB的双Bank架构的嵌入式闪存和20KB到32KB的SRAM。丰富的外部设备集成在片上,提供增强的数据处理能力和信号链资源,提供多达:
1)2路高速USART,速率为9Mbit/s。
2)3路I2C,速率1Mbit/s。
3)3路SPI,速率25Mbit/s;2路I2S。
4)1路MDIO,速率100K-4Mbit/s。
5)第二个通道可以配置高速比较器。
6)2MSPS,10通道12位高速ADC。
7)8DAC。
8)5台16位通用计时器,1台32位通用计时器,2台基本16位计时器。
9)可以使用1台16位计时器进行矢量控制。
10)8种可编程逻辑(CLA)支持复位保持功能。


GD32E501系列MCU系列产品组合,GD32E501系列增强型MCU在1.8-3.6V之间提供电源,在-40°C~+105℃范围内工作,内建512KB双BankFlash可支持使用RWW、Readwhilewrite等功能,在联机升级(OTA)期间,要确保系统能够持续地进行。它具有记忆保护单元(MPU)、可编程逻辑单元(CLA)、I2Cbootloader等功能,新增加的MDIO接口可以对PHY进行以太网管理。与GD32E232系列的普通界面资源相比,通用界面资源的数量也翻番,从而满足了5G时代的增长需求,推动光通信市场的升级,帮助光模块产业链的国产化。


GD32E5系列MCU在MCU上发布Cortex®-33开启高性能计算的新里程,兆易创新GigaDevice发布基于Arm®Cortex®-GD32E5系列M33核心的高性能单片机。该系列MCU使用40nm的嵌入式闪存技术,建立低功耗的台积电芯片,行业先进的处理能力.功率消耗效率.联接特性及更经济的开发成本,促进了嵌入式开发向高精度工控领域拓展,数位电源.电机变频.测量仪器.混合信号处理.高端消费应用,多功能整合及负载需求。GD32E5产品组合有3个通用系列和1个专用系列,4个封装类型23个型号选择,目前已开始提供样品和开发板,正式量产。


GD32E5系列Cortex®-M33核心通用MCU产品组合:


1、新的内核和硬件加速器提高了处理效率


GD32E5系列基于新Armv8-M架构的Cortex®-M33内核,处理器主频高达180MHz,内建硬件乘/除法器,并提供全套DSP指令集和一精度浮点运算单元(FPU),此外,还有一个全新的硬件三角加速器(TMU),可用的矢量.指数.平方根。常用于对数等数学三角运算,减少CPU负担和提高处理效率,促进了以数字信号处理为中心的计算应用。大工作性能可达244DMIPS?考试成绩达到547分。在相同频率下的代码执行效率与市场Cortex®相对于Cortex®-M4产品增长10%-20%,比M23产品性能提高超过40%。


GD32E5配置有128KB至512KB的Flash和80KB至128KB的SRAM,双bank内嵌闪存支持读写同步操作,并内置内存保护单元,用于任务隔离(MPU)。单片机由1.7V-3.6V供电,I/O口能承受5V电平。内置式电源管理单元更优化,提供5种全新的节能模式,在全外部全速运转模式下高主频电流只有332μA/MHz,较GD32F4降低了32%,达到了非常好的节能比。待机电流由电池供电时低只有0.7μA。


2、出色的高精度计时器和混合信号集成


GD32E5具有全新的超正确计时器(SHRTimer)。内有5个独立计数器,可产生5套PWM控制信号,用于2路死区互补输出,可以达到11.5GHz的高分辨率,大只有90ps,外置丰富的联动机制更能产生开关电源、电机控制等各种实际需要的高频波形。


GD32E5的模拟部分还采用了高度集成的全新设计。为了提供正确的模拟测量,该芯片将3个2.6比特的2.6MSPS采样速率集成在一起,支持全差分输入。配有21路复用信道,支持16位硬件过采样滤波功能,支持可配置分辨率;与市场同类产品相比,实际有效位和线性度均有显著提高。另外还有2个12位DAC和3个传输延迟22ns的超快比较器。

3、丰富外部接口全面支持工业互联网


GD32E5引进了USB2.0OTG双功能控制器,内置硬件PHY提供多种工作速率以实现设计灵活性,包括480Mbps的高速(HS)模式和12Mbps的全速(FS)模式。并且支持像Device.HOST.OTG等工作方式,独立480MHzPLL支持无晶振(Crystal-less)设计,整体降低了使用成本。相关的认证工作正在进行中,USB-IF设计标准的要求得到满足。


新增加的SQPI控制器可连接串行.二线.四线并行口的内存外部设置,如SQPIFlash、SQPIPSRAM等。这样可以很容易地扩展外部存储资源,比如移动打印机.显示屏.指纹识别.OTA升级等需要更大内存缓存的场合。新的GD32EPRT专用系列更于片上集成了4MBPSRAM,一步到位满足开发的需要。


GD32E5配置了更丰富的标准外部资源,使其能够广泛地实现工控和互连应用:多可达9个16位通用定时器.2个16位矢量控制定时器.1个32位通用定时器.2个16位基本定时器和2个多通道DMA控制器。通信接口高可达6个UART.3个SPI.3个I2C.2个I2S和1个SDIO。此外,3个CAN-FD(flexibledata-rate)接口被集成到CAN总线网络中,高速率达到6Mbps。10/100M自适应快速以太网络控制器(MAC)可以帮助开发以太网连接功能的实时应用。


新MCU具有6KV静电防护(ESD)能力,并且使用时钟展频技术,以降低对高速数字系统的电磁干扰(EMI),所有产品均达到工业级高可靠性及温度标准。GD32E5系列MCU包括GD32E503.GD32E505.GD32E507和GD32EPRT的4个系列,其中有23种型号可供选择。各种软件和针脚都可兼容,卓越灵活性完全释放Cortex®-M33核心具有卓越潜力。

GD32E5系列Cortex®-M33核心通用MCU全新特性:

兆易创新采用台积电40纳米低功耗制程,打造先进的微处理器开发平台,具有业界先进的能耗比和高集成度,能以更经济的成本价格助推产业升级,也进一步巩固了GD32MCU家族在本土微控制器市场的领导地位。万易创新产品营销总监金光一表示:“作为中国一个Arm®Cortex®-M33核心通用MCU,我们携手在台积电推出的GD32E5系列数据密集的高性能新产品,用于数据密集.算法密集.高精度工控及消费应用传送密集,性价比高。并且将以GD32生态系统的不断扩展为服务支撑,深耕市场行业需求,提升用户开发体验。

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